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          Infineon在PCIM上推出CoolSiC?系列的首款全碳化硅模塊

          發布日期:2017-07-04    來源:ZM     作者:PDR    閱讀647

          效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低:這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優勢。英飛凌科技股份公司開始批量生產EASY 1B——英飛凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模塊。

          在紐倫堡2017年PCIM展會上,英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今,英飛凌能夠更好地發揮碳化硅技術的潛力。

          英飛凌工業功率控制事業部總裁Peter Wawer博士指出:“碳化硅已達到轉折點,考慮到成本效益,它已可用于不同應用。不過,為了讓這一新的半導體技術成為可以依靠的革命性技術,需要英飛凌這樣的合作伙伴。針對應用量身定制產品、我們的生產能力、對技術組合和系統的全面了解:這四大優勢使我們成為功率半導體市場的領導者。依托英飛凌碳化硅產品組合,我們希望并且能夠達成這一目標?!?

          全新1200 V碳化硅MOSFET已進行優化,同時具備高可靠性與性能優勢。其動態功率損耗要比1200V硅(Si)IGBT低一個數量級。首批產品將主推光伏逆變器、不間斷電源(UPS)和充電/儲電系統等應用。不久的將來推出的新型號,也將為打造適用于工業變頻器、醫療設備或鐵路設備輔助電源的革命性解決方案創造條件。

          1200 V SiC MOSEFT采用的溝槽柵技術的一大優勢在于持久的堅固耐用性。這是由于其具備較低的工作時間失效(FIT)率和有效的短路能力,可適應不同的應用。得益于4 V的閾值電壓(Vth)和+15 V的推薦接通閾值(VGS)),這些晶體管能像IGBT一樣得到控制,在發生故障時得以安全關閉。碳化硅MOSFET可以實現高速開關,另外,英飛凌碳化硅MOSFET技術可以通過柵極電阻調節來改變開關速度,因此,可以輕松優化EMC性能。

          早在去年,英飛凌就已推出主導產品EASY 1B(半橋/Booster)以及分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin產品。EASY 1B平臺十分成熟,是實現快速開關器件的理想模塊平臺。在今年的PCIM展會上,英飛凌將展出基于1200 V SiC MOSFET技術的其他模塊平臺和拓撲。它們將逐步擴大CoolSiC MOSFET的性能范圍。英飛凌展出的碳化硅模塊包括:

          · 采用B6(Six-Pack)拓撲的EASY 1B:該模塊的特點是成熟的英飛凌模塊配置,導通電阻(RDS(ON))僅45 mΩ。集成的體二極管確保低損耗續流功能。該EASY 1B適用于傳動、太陽能或焊接技術領域的應用。

          · 采用半橋拓撲的EASY 2B:這個較大的EASY器件,其性能增強,每個開關的RDS(ON)為8 mΩ。低電感模塊概念是功率超過50 kW和快速開關應用的理想選擇,比如太陽能逆變器、快速充電系統或不間斷電源解決方案等。

          · 采用半橋拓撲的62 mm:附加的半橋配置,具備更大功率,每個開關功能的RDS(ON)為6 mΩ。該模塊平臺為中等功率范圍系統實現低電感連接創造了條件。這一特性適合諸多應用,包括醫療設備或鐵路設備的輔助電源等。由于有大量潛在應用,英飛凌預計該模塊將迅速普及。

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